在EUV光刻工艺上,Intel此前承认他们过去翻错了,让台积电、三星抢先了,毕竟Intel是最早研发EUV工艺的半导体公司之一,现在Intel可以追上来了,今年底就首次使用EUV的Intel 4工艺就会规模量产。

Intel 4就是之前的Intel 7nm工艺,也是Intel首次使用EUV光刻机,高性能库的晶体管密度可达1.6亿晶体管/mm2,是目前Intel 7的2倍,高于台积电的5nm工艺的1.3亿晶体管/mm2,接近台积电3nm的2.08亿晶体管/mm2。

Intel官方对Intel 4工艺的进度一直很乐观,之前多次说过今年底投产,不过到底是什么级别的生产?了解半导体玩家知道,风险试产、小规模生产及大规模量产是完全不同的。

最新消息显示,Intel 4工艺现在已经到了大规模量产(high volume)阶段,意味着Intel在商业生产上没问题了。

首发Intel 4的是14代酷睿Meteor Lake处理器,Q4季度会有正式流片,产品则会在明年上市。

根据之前的消息,14代酷睿不仅会升级Intel 4工艺及新的架构,还会首次使用多芯片整合封装,CPU、核显、输入输出等各自独立,制造工艺也不尽相同。

Meteor Lake的CPU Tile模块是Intel 4工艺生产的,IOE Tile以及SoC Tile模块则是台积电6nm工艺生产的,Graphics Tile显卡模块则是台积电5nm工艺生产,还有个Base Tile则是Intel自家的22nm工艺生产。

在14代酷睿上,Intel做到了5个芯片合一,融合了4种不同的逻辑工艺。

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